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onsemi FCH023N65S3 FCH023N65S3-F155 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 75 A 595 W, 3-Pin TO-247
Menge:
Stück
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
108EL-1724612
Hersteller:
onsemi
Herst.-Nr.:
FCH023N65S3-F155
EAN/GTIN:
5059042295351
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
on semiconductor mosfet
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 75 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Serie = FCH023N65S3
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 23 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V
Verlustleistung max. = 595 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±30 V
Breite = 4.82mm
Höhe = 20.82mm
SuperFET® III MOSFET ist die brandneue Hochspannungs-Super-Junction(SJ)-MOSFET-Familie von ON Semiconductor, die Ladungsausgleich-Technologie für einen herausragend geringen Einschaltwiderstand und eine geringere Gate-Ladeleistung nutzt. Diese fortschrittliche Technologie ist darauf ausgelegt, Leitungsverluste zu minimieren, überlegene Schaltleistung zu bieten und beständig gegen extreme dv/dt-Rate zu sein. Somit ist SuperFET III MOSFET sehr gut in verschiedenen Stromsystemen zur Miniaturisierung und für höhere Effizienz geeignet.700 V bei TJ = 150 °CHöhere Systemzuverlässigkeit bei Betrieb bei niedriger TemperaturUltraniedrige Gatterladung (typ. Qg = 78 nC)Geringere SchaltverlusteNiedrige effektive Ausgangskapazität (typ. Coss (eff.) = 715 pF)Geringere SchaltverlusteOptimierte KapazitätGeringer Vds-Spitzenwert und geringere Vgs-OszillationTyp. RDS(on) = 62 mΩSchwall-Lötverfahren-GarantieComputerTelekommunikationIndustrieausführungTelekommunikation/ServerSolar-Wechselrichter/UPSEVC
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
75 A
Drain-Source-Spannung max.:
650 V
Serie:
FCH023N65S3
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
23 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
4.5V
Gate-Schwellenspannung min.:
2.5V
Verlustleistung max.:
595 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
±30 V
Breite:
4.82mm
Höhe:
20.82mm
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Mosfet
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