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Vishay IRFD120PBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 1,3 A 1,3 W, 4-Pin HVMDIP


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     108EL-1780921
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     IRFD120PBF
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 1,3 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = HVMDIP
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 270 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 1,3 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +175 °C
Höhe = 3.37mm

N-Kanal MOSFET, 100 V bis 150 V, Vishay Semiconductor
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
1,3 A
Drain-Source-Spannung max.:
100 V
Gehäusegröße:
HVMDIP
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
4
Drain-Source-Widerstand max.:
270 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.:
2V
Verlustleistung max.:
1,3 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.:
+175 °C
Höhe:
3.37mm
Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, leistungs-mosfet, mosfet 1,3 a, 1780921, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, IRFD120PBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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