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| Artikel-Nr.:
108EL-1783715 Herst.-Nr.:
SQD40031EL_GE3 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 100 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Serie = TrenchFET
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 5 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.5V
Verlustleistung max. = 136 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Betriebstemperatur max. = +175 °C
Höhe = 6.22mm
TrenchFET® Leistungs-MOSFET Gehäuse mit niedrigem Wärmewiderstand Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 100 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Serie: | TrenchFET | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 5 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.5V | Verlustleistung max.: | 136 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Betriebstemperatur max.: | +175 °C | Höhe: | 6.22mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet dpak, 1783715, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay Siliconix, SQD40031EL_GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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