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Vishay Siliconix TrenchFET SQS944ENW-T1_GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 6 A 27,8 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     108EL-1783726
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SQS944ENW-T1_GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 6 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Serie = TrenchFET
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 40 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.5V
Verlustleistung max. = 27,8 W
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Breite = 3.15mm
Höhe = 1.07mm

TrenchFET® Leistungs-MOSFET
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
6 A
Drain-Source-Spannung max.:
40 V
Serie:
TrenchFET
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
8
Drain-Source-Widerstand max.:
40 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
2.5V
Gate-Schwellenspannung min.:
1.5V
Verlustleistung max.:
27,8 W
Gate-Source Spannung max.:
±20 V
Breite:
3.15mm
Höhe:
1.07mm
Weitere Suchbegriffe: 1783726, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay Siliconix, SQS944ENWT1_GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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Warenzustand:unbenutzt
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