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| Artikel-Nr.:
108EL-1783877 Herst.-Nr.:
SQ2364EES-T1_GE3 EAN/GTIN:
5059045288886 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 2 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Serie = TrenchFET
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 600 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 0.46V
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 3 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±8 V
Breite = 1.4mm
Betriebstemperatur min. = –55 °CV Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 2 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Serie: | TrenchFET | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 600 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 0.46V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 3 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±8 V | Breite: | 1.4mm | Betriebstemperatur min.: | –55 °CV |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet sot-23, 1783877, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay Siliconix, SQ2364EEST1_GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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