|  |
| |
| Artikel-Nr.:
108EL-1783950 Herst.-Nr.:
SQD40031EL_GE3 EAN/GTIN:
5059045287650 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 100 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Serie = TrenchFET
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 5 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.5V
Verlustleistung max. = 136 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Diodendurchschlagsspannung = 1.5V Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 100 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Serie: | TrenchFET | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 5 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.5V | Verlustleistung max.: | 136 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Diodendurchschlagsspannung: | 1.5V |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: mosfet dpak, 1783950, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay Siliconix, SQD40031EL_GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |