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| Artikel-Nr.:
108EL-1787444 Herst.-Nr.:
IPB065N15N3GATMA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 130 A
Drain-Source-Spannung max. = 150 V
Serie = OptiMOS™ 3
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 7
Drain-Source-Widerstand max. = 6,8 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Verlustleistung max. = 300 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +175 °C
Höhe = 9.45mm
Leistungs-MOSFET Infineon OptiMOS™3, 100 V und mehr Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 130 A | Drain-Source-Spannung max.: | 150 V | Serie: | OptiMOS™ 3 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 7 | Drain-Source-Widerstand max.: | 6,8 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Verlustleistung max.: | 300 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Betriebstemperatur max.: | +175 °C | Höhe: | 9.45mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet d2pak, 1787444, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPB065N15N3GATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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