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| Artikel-Nr.: 108EL-1826898 Herst.-Nr.: DMN31D5L-7 EAN/GTIN: k.A. |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 500 mA Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = SOT-23 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 2 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 1.6V Gate-Schwellenspannung min. = 0.8V Verlustleistung max. = 520 mW Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = ±20 V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Betriebstemperatur min. = –55 °C Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 500 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 2 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1.6V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.8V | Verlustleistung max.: | 520 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, diodes mosfet, smd transistor, mosfet sot-23, 1826898, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, DMN31D5L7, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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