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| Artikel-Nr.:
108EL-1859246 Herst.-Nr.:
NVMYS1D3N04CTWG EAN/GTIN:
5059045642718 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 252 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = LFPAK, SOT-669
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 1,15 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V
Verlustleistung max. = 134 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur min. = –55 °C Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 252 A | Drain-Source-Spannung max.: | 40 V | Gehäusegröße: | LFPAK, SOT-669 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 4 | Drain-Source-Widerstand max.: | 1,15 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2.5V | Verlustleistung max.: | 134 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 1859246, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NVMYS1D3N04CTWG, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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