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| Artikel-Nr.:
108EL-1859264 Herst.-Nr.:
NVTFS6H854NTAG EAN/GTIN:
5059045651147 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 44 A
Drain-Source-Spannung max. = 80 V
Gehäusegröße = WDFN
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 14,5 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 68 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Breite = 3.15mm
Höhe = 0.75mm Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 44 A | Drain-Source-Spannung max.: | 80 V | Gehäusegröße: | WDFN | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 14,5 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 68 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Breite: | 3.15mm | Höhe: | 0.75mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1859264, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NVTFS6H854NTAG, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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