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| Artikel-Nr.:
108EL-1867414 Herst.-Nr.:
MJF3055G EAN/GTIN:
k.A. |
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| Transistor-Typ = NPN
Kollektor-Emitter-Spannung = 90 Vdc (Ausfall
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Verlustleistung max. = 30 W
Gleichstromverstärkung min. = 20
Transistor-Konfiguration = Einfach
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V dc
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Abmessungen = 10.53 x 4.83 x 9.28mm
Der Bipolar-Leistungstransistor wurde speziell für allgemeine Verstärker- und Schaltanwendungen entwickelt.Isoliertes Overmold-Gehäuse (1500 Volt RMS Min) Elektrisch ähnlich wie beim beliebten MjE3055T und MjE2955T. Collector-Emitter Sustaining Voltage VCEO(sus) 90 Volt 10 Ampere Nennstrom des Kollektors Keine Trennscheiben erforderlich Geringere Systemkosten Bleifreie Gehäuse sind verfügbar Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | Kollektor-Emitter-Spannung: | 90 Vdc (Ausfall | Gehäusegröße: | TO-220 | Montage-Typ: | THT | Verlustleistung max.: | 30 W | Gleichstromverstärkung min.: | 20 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V dc | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Abmessungen: | 10.53 x 4.83 x 9.28mm |
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| Weitere Suchbegriffe: schalttransistor npn, leistungstransistor, onsemi transistor, 1867414, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, MJF3055G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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