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| Artikel-Nr.:
108EL-1868709 Herst.-Nr.:
MUN5216DW1T1G EAN/GTIN:
5059045326748 |
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| Transistor-Typ = NPN
DC Kollektorstrom max. = 100 mA
Kollektor-Emitter-Spannung = 50 V
Gehäusegröße = SOT-363
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 385 mW
Transistor-Konfiguration = Dual
Pinanzahl = 6
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Abmessungen = 2.2 x 1.35 x 1mm Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | DC Kollektorstrom max.: | 100 mA | Kollektor-Emitter-Spannung: | 50 V | Gehäusegröße: | SOT-363 | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 385 mW | Transistor-Konfiguration: | Dual | Pinanzahl: | 6 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Abmessungen: | 2.2 x 1.35 x 1mm |
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| Weitere Suchbegriffe: smd-transistor npn, smd transistor, onsemi transistor, 1868709, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, MUN5216DW1T1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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