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Vishay SIHB22N60EF-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 19 A 179 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     108EL-1884872
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIHB22N60EF-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 19 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 182 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 179 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 48 nC @ 10 V
Höhe = 4.57mm

Leistungs-MOSFET der Serie EF mit schneller Gehäusediode.Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg Niedrige Eingangskapazität (Ciss) Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste ANWENDUNGEN Server- und Telekommunikations-Netzteile Schaltnetzteile (SNT) Netzteile für Leistungsfaktorkorrektur (PFC)
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
19 A
Drain-Source-Spannung max.:
600 V
Gehäusegröße:
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
182 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
4V
Gate-Schwellenspannung min.:
2V
Verlustleistung max.:
179 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
±30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs:
48 nC @ 10 V
Höhe:
4.57mm
Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor, mosfet d2pak, 1884872, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SIHB22N60EFGE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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