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Vishay SQD40020E_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 107 W, 3-Pin DPAK (TO-252)


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     108EL-1884912
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SQD40020E_GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 100 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 4,7 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V
Verlustleistung max. = 107 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Breite = 9.65mm
Höhe = 4.57mm
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
100 A
Drain-Source-Spannung max.:
40 V
Gehäusegröße:
DPAK (TO-252)
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
4,7 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
3.5V
Gate-Schwellenspannung min.:
2.5V
Verlustleistung max.:
107 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
±20 V
Breite:
9.65mm
Höhe:
4.57mm
Weitere Suchbegriffe: mosfet dpak, 1884912, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SQD40020E_GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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Warenzustand:unbenutzt
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