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Vishay SQUN702E-T1_GE3 NPN-Kanal 3, SMD MOSFET 200 V (Kanal 3), 40 V (Kanal 1), 40 V (Kanal 2) / 30 A, 30 A, 20 A 48 W,


Menge:  Stück  
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     108EL-1884925
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SQUN702E-T1_GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Channel-Typ = N, P
Dauer-Drainstrom max. = 30 A, 30 A, 20 A
Drain-Source-Spannung max. = 200 V (Kanal 3), 40 V (Kanal 1), 40 V (Kanal 2)
Gehäusegröße = Dreifach-Matrize
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 10
Channel-Modus = Enhancement
Verlustleistung max. = 48 W, 48 W, 60 W.
Transistor-Konfiguration = Gemeinsamer Drain
Gate-Source Spannung max. = 20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 3
Betriebstemperatur min. = –55 °C

Automobil-MOSFET-Paar mit 40 V N- und P-Kanal und 200 V N-Kanal MOSFET.Optimiertes Dreifach-Matrizengehäuse TrenchFET® Leistungs-MOSFET
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N, P
Dauer-Drainstrom max.:
30 A, 30 A, 20 A
Drain-Source-Spannung max.:
200 V (Kanal 3), 40 V (Kanal 1), 40 V (Kanal 2)
Gehäusegröße:
Dreifach-Matrize
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
10
Channel-Modus:
Enhancement
Verlustleistung max.:
48 W, 48 W, 60 W.
Transistor-Konfiguration:
Gemeinsamer Drain
Gate-Source Spannung max.:
20 V
Anzahl der Elemente pro Chip:
3
Betriebstemperatur min.:
–55 °C
Weitere Suchbegriffe: 1884925, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SQUN702ET1_GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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