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| Artikel-Nr.:
108EL-1885065 Herst.-Nr.:
SQUN702E-T1_GE3 EAN/GTIN:
5059045739890 |
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| Channel-Typ = N, P
Dauer-Drainstrom max. = 30 A, 30 A, 20 A
Drain-Source-Spannung max. = 200 V (Kanal 3), 40 V (Kanal 1), 40 V (Kanal 2)
Gehäusegröße = Dreifach-Matrize
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 10
Channel-Modus = Enhancement
Verlustleistung max. = 48 W, 48 W, 60 W.
Transistor-Konfiguration = Gemeinsamer Drain
Gate-Source Spannung max. = 20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 3
Betriebstemperatur min. = –55 °C Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N, P | Dauer-Drainstrom max.: | 30 A, 30 A, 20 A | Drain-Source-Spannung max.: | 200 V (Kanal 3), 40 V (Kanal 1), 40 V (Kanal 2) | Gehäusegröße: | Dreifach-Matrize | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 10 | Channel-Modus: | Enhancement | Verlustleistung max.: | 48 W, 48 W, 60 W. | Transistor-Konfiguration: | Gemeinsamer Drain | Gate-Source Spannung max.: | 20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 3 | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 30a, 1885065, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SQUN702ET1_GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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