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| Artikel-Nr.:
108EL-1885120 Herst.-Nr.:
SQJA38EP-T1_GE3 EAN/GTIN:
5059045812357 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 60 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = PowerPAK SO-8L
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 6,7 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.4V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.4V
Verlustleistung max. = 68 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Breite = 4.47mm
Höhe = 1.01mm Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 60 A | Drain-Source-Spannung max.: | 40 V | Gehäusegröße: | PowerPAK SO-8L | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 6,7 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.4V | Verlustleistung max.: | 68 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Breite: | 4.47mm | Höhe: | 1.01mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1885120, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SQJA38EPT1_GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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