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IXYS HiperFET, Polar IXFH110N10P N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 110 A 480 W, 3-Pin TO-247

Menge:

Stück

Produktinformationen

Artikel-Nr.:
108EL-193492

Hersteller:
IXYS

Herst.-Nr.:
IXFH110N10P

EAN/GTIN:
5059041202299

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 110 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Serie = HiperFET, Polar
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 15 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Verlustleistung max. = 480 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 110 nC @ 10 Vmm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS

Weitere Informationen:


Channel-Typ:	N
Dauer-Drainstrom max.:	110 A
Drain-Source-Spannung max.:	100 V
Serie:	HiperFET, Polar
Montage-Typ:	THT
Pinanzahl:	3
Drain-Source-Widerstand max.:	15 mΩ
Channel-Modus:	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:	5V
Verlustleistung max.:	480 W
Transistor-Konfiguration:	Einfach
Gate-Source Spannung max.:	-20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs:	110 nC @ 10 Vmm
Betriebstemperatur min.:	-55 °Cmm

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Weitere Suchbegriffe: 193492, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IXYS, IXFH110N10P, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs

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