|  |
| |
| Artikel-Nr.:
108EL-1952523 Herst.-Nr.:
NVMYS5D3N04CTWG EAN/GTIN:
k.A. |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 71 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = LFPAK, SOT-669
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 5,3 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V
Verlustleistung max. = 50 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Betriebstemperatur max. = +175 °Cmm
Diodendurchschlagsspannung = 1.2V Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 71 A | Drain-Source-Spannung max.: | 40 V | Gehäusegröße: | LFPAK, SOT-669 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 4 | Drain-Source-Widerstand max.: | 5,3 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2.5V | Verlustleistung max.: | 50 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Betriebstemperatur max.: | +175 °Cmm | Diodendurchschlagsspannung: | 1.2V |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: 1952523, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NVMYS5D3N04CTWG, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |