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| Artikel-Nr.:
108EL-2060086 Herst.-Nr.:
DMN3731U-7 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 900 mA
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Serie = DMN3731
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,73 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 0.95V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Der DiodesZetex-N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit 30 V wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung zu erhalten, was ihn ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen macht. Seine Gate-Quellspannung beträgt 8 V mit 0,4 W Wärmeverlustleistung.Niedriger VGS(TH), kann direkt über eine Batterie betrieben werden ESD-geschütztes Tor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 900 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Serie: | DMN3731 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,73 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 0.95V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, diodes mosfet, smd transistor, mosfet sot-23, 2060086, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, DMN3731U7, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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