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| Artikel-Nr.:
108EL-2060097 Herst.-Nr.:
DMNH6035SPDW-13 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 33 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Serie = DMNH6035
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 0,044 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Der DiodesZetex-N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit 60 V wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung zu erhalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet. Seine Gate-Quellspannung beträgt 20 V mit 2,4 W Wärmeverlustleistung.Ausgelegt für +175 °C ist ideal für Umgebungen mit hohen Umgebungstemperaturen Niedrige Qg - minimiert Schaltverluste Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 33 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Serie: | DMNH6035 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,044 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: 2060097, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, DMNH6035SPDW13, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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