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| Artikel-Nr.:
108EL-2060109 Herst.-Nr.:
DMP2067LVT-7 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 4,2 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Serie = DMP2067
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 0,065 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Der 20-V-P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET von DiodesZetex wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung zu erhalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet. Seine Gate-Quellspannung beträgt 8 V mit 1,2 W Wärmeverlustleistung.Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand Niedrige Eingangskapazität Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 4,2 A | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Serie: | DMP2067 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 6 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,065 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1.5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: 2060109, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, DMP2067LVT7, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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