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Mitsubishi IGBT-Modul / 300 20V max. Dual, 1200 V Modul N-Kanal


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     108EL-2074964
Hersteller:
     Mitsubishi
Herst.-Nr.:
     CM300DX -24T #300G
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
igbt module mitsubishi
Dauer-Kollektorstrom max. = 300
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = 20V
Anzahl an Transistoren = 2
Gehäusegröße = Modul
Montage-Typ = PCB-Montage
Channel-Typ = N
Transistor-Konfiguration = Zweifach-Halbbrücke

Das Mitsubishi Electric 1200 V zweifache IGBT-Modul verfügt über einen flachen Sockel und sechs Treiber pro Modul mit niedriger Bauhöhe. Er hat einen kontinuierlichen Kollektorstrom von 450 A und ist für harte Schalt- und weiche Schaltanwendungen wie Wechselrichter, Motorsteuerung und industrielle Antriebe geeignet.Terminal mit verzinntem Stift Verwendete Kupfergrundplatte Maximale Sperrschichttemperatur: 175 °C.
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
300
Kollektor-Emitter-Spannung:
1200 V
Gate-Source Spannung max.:
20V
Anzahl an Transistoren:
2
Gehäusegröße:
Modul
Montage-Typ:
PCB-Montage
Channel-Typ:
N
Transistor-Konfiguration:
Zweifach-Halbbrücke
Weitere Suchbegriffe: igbt module, 2074964, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IGBT, Mitsubishi Electric, CM300DX24T#300G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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