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Infineon OptiMOS™ 3 IPD530N15N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 21 A, 3-Pin DPAK (TO-252)


Menge:  Packungen  
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     108EL-2144380
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPD530N15N3GATMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 21 A
Drain-Source-Spannung max. = 150 V
Serie = OptiMOS™ 3
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,053 Ω
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1

Dieser Infineon OptiMOS 3 MOSFET ist ideal für Hochfrequenzschaltungen und synchrone Gleichrichtung. Es ist gemäß JEDEC für die Zielanwendung zugelassenEs ist halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
21 A
Drain-Source-Spannung max.:
150 V
Serie:
OptiMOS™ 3
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
0,053 Ω
Gate-Schwellenspannung max.:
4V
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, mosfet dpak, 2144380, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPD530N15N3GATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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Warenzustand:unbenutzt
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Infineon
REFICL5102HVU150WTOBO1
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