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| Artikel-Nr.:
108EL-2149088 Herst.-Nr.:
IPP120N08S403AKSA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 120 A
Drain-Source-Spannung max. = 80 V
Serie = OptiMOS™ -T2
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,0028 O
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Das Infineon bietet ein großes und umfassendes Portfolio an MOSFET-Geräten, einschließlich der CoolMOS-, OptiMOS- und Starken-IRFET-Familien. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.Das Produkt ist AEC Q101-zertifiziert Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C 100 % Lawinenprüfung Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 120 A | Drain-Source-Spannung max.: | 80 V | Serie: | OptiMOS™ -T2 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,0028 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: 2149088, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPP120N08S403AKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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