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| Artikel-Nr.:
108EL-2168319 Herst.-Nr.:
BAR9002ELSE6327XTSA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Diodenkonfiguration = Einfach
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Durchlassstrom max. = 100mA
Sperrspannung max. = 80V
Ladungsträgerlebensdauer = 0.75µs
Gehäusegröße = TSSLP
Pinanzahl = 2
Die Infineon-HF-PIN-Diode bietet Hochspannungsverarbeitungsfunktionen und verfügt über geringe Verluste und geringe Verzerrungen. Der niedrige Vorwärtswiderstand, die niedrige Kapazität und die niedrige Induktivität vereinfachen das Design und unterstützen Entwickler bei der Erstellung kleinerer und leichterer Endlösungen.Symmetrische ON/OFF harmonische Verzerrung Bleifrei RoHS-konform Halogenfrei Weitere Informationen: | | Diodenkonfiguration: | Einfach | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Durchlassstrom max.: | 100mA | Sperrspannung max.: | 80V | Ladungsträgerlebensdauer: | 0.75µs | Gehäusegröße: | TSSLP | Pinanzahl: | 2 |
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| Weitere Suchbegriffe: 2168319, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, pin-Dioden, Infineon, BAR9002ELSE6327XTSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, PIN Diodes |
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