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| Artikel-Nr.:
108EL-2169660 Herst.-Nr.:
TSM048NB06LCR EAN/GTIN:
k.A. |
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| Dauer-Drainstrom max. = 107 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Serie = TSM025
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 4,8 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
Transistor-Werkstoff = Silicon
Die Taiwan Semiconductor Single N-Kanal Leistungs-MOSFET-Transistoren, steht für ″Feldeffekttransistoren von Metalloxide Semiconductor″. MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. ″Feldeffekt″ bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.Niedriger RDS(ON) zur Minimierung von leitfähigen Verlusten Niedrige Gate-Ladung für schnelles Schalten 100 % UIS- und Rg-geprüft Weitere Informationen: | | Dauer-Drainstrom max.: | 107 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Serie: | TSM025 | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 4,8 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.5V | Transistor-Werkstoff: | Silicon |
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| Weitere Suchbegriffe: 2169660, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Taiwan Semiconductor, TSM048NB06LCR, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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