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| Artikel-Nr.:
108EL-2172502 Herst.-Nr.:
IPAN70R600P7SXKSA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 8,5 A
Drain-Source-Spannung max. = 700 V
Serie = CoolMOS™
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 600 mO
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Die Infineon-700-V-CoolMOS-P7-Superjunction-MOSFET-Serie ist für den SMPS-Markt mit geringer Leistungsaufnahme wie z. B. Mobiltelefon-Ladegeräte oder Notebook-Adapter konzipiert und bietet im Vergleich zu heute verwendeten Supjunction-Technologien grundlegende Leistungsverbesserungen. Durch die Kombination von Kundenfeedback mit über 20 Jahren Superjunction-MOSFET-Erfahrung ermöglicht 700V CoolMOS TM P7 eine optimale Passform für Zielanwendungen in Bezug auf: Effizienz und Thermik Einfälliges EMI-Verhalten.Extrem niedriger FOM R DS(on) x E oss Untere Q g, E ein und E aus Hochleistungsfähige Technologie Geringe Schaltverluste (E oss) Hoher Wirkungsgrad Ausgezeichnetes thermisches Verhalten Ermöglicht Hochgeschwindigkeitsschalten Integrierte Zenerdiode Optimierter V (GS) von 3 V mit sehr geringer Toleranz von ±0,5 V Fein abgestuftes Portfolio Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 8,5 A | Drain-Source-Spannung max.: | 700 V | Serie: | CoolMOS™ | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 600 mO | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: 2172502, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPAN70R600P7SXKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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