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| Artikel-Nr.: 108EL-2207355 Herst.-Nr.: BSC061N08NS5ATMA1 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 82 A Drain-Source-Spannung max. = 80 V Serie = OptiMOS™ 3 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 0,0061 O Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 3.8V Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Die OptiMOS N-Kanal-Leistungs-MOSFETs von Infineon wurden zur Steigerung von Effizienz, Leistungsdichte und Kosteneffizienz entwickelt. OptiMOS-Produkte wurden für Hochleistungsanwendungen entwickelt und für hohe Schaltfrequenzen optimiert und überzeugen mit der branchenweit besten Leistungszahl. Das OptiMOS-Leistungs-MOSFET-Portfolio, jetzt ergänzt durch einen starken IRFET, schafft eine wirklich leistungsfähige Kombination. Profitieren Sie von einer perfekten Abstimmung von robusten und ausgezeichneten Preis-/Leistungseigenschaften von starken IRFET-MOSFETs und der besten Technologie von OptiMOS MOSFETs. Beide Produktfamilien erfüllen die höchsten Qualitätsstandards und Leistungsanforderungen. Das gemeinsame Portfolio, das Spannungen von 12 V bis 300 V MOSFETs abdeckt, kann eine Vielzahl von Anforderungen von niedrigen bis hohen Schaltfrequenzen wie SMPS, Batterie-betriebene Anwendungen, Motorsteuerung und Antriebe, Wechselrichter und Computer erfüllen.Optimiert für Hochleistungs-SMPS, z. B. sync.rec. 100 % Lawinengeprüft Überlegener Wärmewiderstand N-Kanal QualifiedaccordingtoJEDEC1) für Zielanwendungen Bleifreie Leitungsbeschichtung RoHS-konform Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21 Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 82 A | Drain-Source-Spannung max.: | 80 V | Serie: | OptiMOS™ 3 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,0061 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.8V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: PIN-Diode, SMD-Diode, SMD-Transistor, Schalttransistor, Transistor, diode infineon, smd diode, 2207355, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, BSC061N08NS5ATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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