Infineon CoolMOS™ P7 IPSA70R1K2P7SAKMA1 N-Kanal, THT MOSFET Transistor & Diode 700 V / 9,4 A, 3-Pin IPAK (TO-251)

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 9,4 A
Drain-Source-Spannung max. = 700 V
Serie = CoolMOS™ P7
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 1,2 O
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1

Der Infineon hat die Super Junction MOSFET-Serie 700V Cool MOS P7 entwickelt, um den heutigen und insbesondere den Trends von morgen in Fly-Back-Topologien gerecht zu werden. Es richtet sich an den energiesparenden SMPS-Markt, wie z. B. Mobiltelefon-Ladegeräte oder Notebook-Adapter, indem es grundlegende Leistungsverbesserungen im Vergleich zu heute verwendeten Super-Junction-Technologien bietet. Durch die Kombination von Kundenfeedback mit über 20 Jahren Super Junction MOSFET-Erfahrung ermöglicht 700V Cool MOS P7 eine optimale Passform für Zielanwendungen in Bezug auf:Extrem niedriger FOM R DS(on) x E oss Untere Q g, E ein und E aus Hochleistungsfähige Technologie Geringe Schaltverluste (E oss) Hoher Wirkungsgrad Ausgezeichnetes thermisches Verhalten Ermöglicht Hochgeschwindigkeitsschalten Integrierte Zenerdiode Optimierte V (GS) der von 3 V mit sehr geringer Toleranz von ±0,5 V Fein abgestuftes Portfolio Kostengünstige Technologie Bis zu 2,4 % Effizienzverstärkung und 12 K niedrigere Gerätetemperatur Im Vergleich zur C6-Technologie Weitere Effizienzverstärkung bei höherer Schaltgeschwindigkeit Unterstützt weniger magnetische Größe mit geringeren BOM-Kosten Hohe ESD-Robustheit bis zur Stufe HBM Klasse 2 Einfach zu fahren und zu entwickeln Enabler für kleinere Formfaktoren und Designs mit hoher Leistungsdichte Ausgezeichnete Wahl bei der Auswahl des am besten passenden Produkts