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| Artikel-Nr.:
108EL-2216766 Herst.-Nr.:
NXV65HR82DZ1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Dauer-Drainstrom max. = 26 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Serie = NXV65HR
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 16
Drain-Source-Widerstand max. = 0,082 Ω
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 4
Die on Semiconductor integrierte H-Brücke für das Ladegerät in der Serie APM16 für LLC und phasenverschobene DC/DC-Wandler. Es ermöglicht die Entwicklung eines kleinen, effizienten und zuverlässigen Systems für verringerten Fahrzeugkraftstoffverbrauch und CO2-Emissionen. Er verfügt über eine 82-mΩ-SuperFET3-H-Brücke auf Al2O3-DBC-Substrat mit 5-kV-Isolierung in einem kompakten APM16-umspritzten Modul.5 kV/1 s elektrisch isoliertes Substrat für einfache Montage Kompakte Bauweise für niedrigen Gesamtmodulwiderstand Modulserialisierung für vollständige Rückverfolgbarkeit Weitere Informationen: | | Dauer-Drainstrom max.: | 26 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Serie: | NXV65HR | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 16 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,082 Ω | Gate-Schwellenspannung max.: | 5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 4 |
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| Weitere Suchbegriffe: 2216766, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NXV65HR82DZ1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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