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| Artikel-Nr.:
108EL-2350606 Herst.-Nr.:
IST006N04NM6AUMA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 475 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = HSOF-5
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 5
Drain-Source-Widerstand max. = 0,0006 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.3V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 475 A | Drain-Source-Spannung max.: | 40 V | Gehäusegröße: | HSOF-5 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 5 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,0006 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.3V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet infineon, smd transistor, 2350606, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IST006N04NM6AUMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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