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| Artikel-Nr.:
108EL-2352744 Herst.-Nr.:
RGW00TS65EHRC11 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = ±30V
Verlustleistung max. = 254 W
Gehäusegröße = TO-247N
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Single & Common Emitter Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 50 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 650 V | Gate-Source Spannung max.: | ±30V | Verlustleistung max.: | 254 W | Gehäusegröße: | TO-247N | Montage-Typ: | THT | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 3 | Transistor-Konfiguration: | Single & Common Emitter |
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| Weitere Suchbegriffe: 2352744, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, ROHM, RGW00TS65EHRC11, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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