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| Artikel-Nr.: 108EL-2352766 Herst.-Nr.: RGWX5TS65DHRC11 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 348 W Gehäusegröße = TO-247N Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Konfiguration = Single & Common Emitter Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Dauer-Kollektorstrom max.: | 50 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 650 V | Gate-Source Spannung max.: | ±30V | Verlustleistung max.: | 348 W | Gehäusegröße: | TO-247N | Montage-Typ: | THT | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 3 | Transistor-Konfiguration: | Single & Common Emitter |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: 2352766, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, ROHM, RGWX5TS65DHRC11, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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