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Vishay SQJ182EP-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 210 A, 8-Pin PowerPAK SO-8L


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     108EL-2395409
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SQJ182EP-T1_GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 210 A
Drain-Source-Spannung max. = 80 V
Gehäusegröße = PowerPAK SO-8L
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
210 A
Drain-Source-Spannung max.:
80 V
Gehäusegröße:
PowerPAK SO-8L
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
8
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Weitere Suchbegriffe: 210a mosfet, 2395409, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SQJ182EPT1_GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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