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Vishay SQJ186EP-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 60 A, 4-Pin PowerPAK SO-8L


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     108EL-2398671
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SQJ186EP-T1_GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 60 A
Drain-Source-Spannung max. = 80 V
Gehäusegröße = PowerPAK SO-8L
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 4
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
60 A
Drain-Source-Spannung max.:
80 V
Gehäusegröße:
PowerPAK SO-8L
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
4
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Weitere Suchbegriffe: 2398671, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SQJ186EPT1_GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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