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ROHM IGBT / 70 A ±30V max. , 650 V 234 W To-247GE


Menge:  Stück  
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     108EL-2412295
Hersteller:
     ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
     RGTH80TS65DGC13
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt
Dauer-Kollektorstrom max. = 70 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = ±30V
Verlustleistung max. = 234 W
Konfiguration = Einfach-Kollektor, Einfach-Emitter, Einfach-Gate
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
70 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
650 V
Gate-Source Spannung max.:
±30V
Verlustleistung max.:
234 W
Konfiguration:
Einfach-Kollektor, Einfach-Emitter, Einfach-Gate
Weitere Suchbegriffe: 2412295, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, ROHM, RGTH80TS65DGC13, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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