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ROHM BSM180C12P3C202 N-Kanal, Schraub MOSFET 1200 V / 180 A Einschub


Menge:  Packung  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     108EL-2461506
Hersteller:
     ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
     BSM180C12P3C202
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 180 A
Drain-Source-Spannung max. = 1200 V
Gehäusegröße = Einschub
Montage-Typ = Schraubmontage
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
180 A
Drain-Source-Spannung max.:
1200 V
Gehäusegröße:
Einschub
Montage-Typ:
Schraubmontage
Weitere Suchbegriffe: 2461506, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, ROHM, BSM180C12P3C202, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.