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Infineon IGBT-Modul / 85 A ±20V max. Quad, 650 V 20 mW


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     108EL-2481202
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     F3L150R07W2H3B11BPSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
igbt module infineon
Dauer-Kollektorstrom max. = 85 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Anzahl an Transistoren = 4
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
85 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
650 V
Gate-Source Spannung max.:
±20V
Anzahl an Transistoren:
4
Weitere Suchbegriffe: igbt module, 2481202, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IGBT, Infineon, F3L150R07W2H3B11BPSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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