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Infineon IGBT / 50 A 20V max., 1200 V 20 mW


Menge:  Packung  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     108EL-2539832
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     FP50R12N2T7PB11BPSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = 20V
Verlustleistung max. = 20 mW
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
50 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
1200 V
Gate-Source Spannung max.:
20V
Verlustleistung max.:
20 mW
Weitere Suchbegriffe: igbt infineon, igbt, 2539832, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, FP50R12N2T7PB11BPSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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