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Infineon IGBT / 600 A ±20V max. Dual, 1200 V 20 mW AG-PRIME2


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     108EL-2608893
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     FF600R12IP4BOSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt infineon
Dauer-Kollektorstrom max. = 600 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 20 mW
Gehäusegröße = AG-PRIME2
Montage-Typ = Chassismontage
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
600 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
1200 V
Gate-Source Spannung max.:
±20V
Verlustleistung max.:
20 mW
Gehäusegröße:
AG-PRIME2
Montage-Typ:
Chassismontage
Weitere Suchbegriffe: igbt, 2608893, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, FF600R12IP4BOSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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