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| Artikel-Nr.:
108EL-2625880 Herst.-Nr.:
IPF016N06NF2SATMA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 223 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = PG-TO263-7
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 7
Channel-Modus = Enhancement
Transistor-Werkstoff = SiC Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 223 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | PG-TO263-7 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 7 | Channel-Modus: | Enhancement | Transistor-Werkstoff: | SiC |
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| Weitere Suchbegriffe: 2625880, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPF016N06NF2SATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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