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| Artikel-Nr.: 108EL-2688350 Herst.-Nr.: SQ3426CEV-T1_GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 7 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = TSOP-6 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 6 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 2 Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 7 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | TSOP-6 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 6 | Channel-Modus: | Enhancement | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: 2688350, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SQ3426CEVT1_GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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