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| Artikel-Nr.: 108EL-2741335 Herst.-Nr.: VS-GT50LA65UF EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Dauer-Kollektorstrom max. = 59 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ± 20V Verlustleistung max. = 163 W Gehäusegröße = SOT-227 Montage-Typ = Tafelmontage Channel-Typ = N Pinanzahl = 4 Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Dauer-Kollektorstrom max.: | 59 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 650 V | Gate-Source Spannung max.: | ± 20V | Verlustleistung max.: | 163 W | Gehäusegröße: | SOT-227 | Montage-Typ: | Tafelmontage | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 4 |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: 2741335, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, VSGT50LA65UF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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