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Vishay IGBT / 59 A ± 20V max. , 650 V 163 W, 4-Pin SOT-227 N-Kanal


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     108EL-2741335
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     VS-GT50LA65UF
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt
Dauer-Kollektorstrom max. = 59 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = ± 20V
Verlustleistung max. = 163 W
Gehäusegröße = SOT-227
Montage-Typ = Tafelmontage
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 4
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
59 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
650 V
Gate-Source Spannung max.:
± 20V
Verlustleistung max.:
163 W
Gehäusegröße:
SOT-227
Montage-Typ:
Tafelmontage
Channel-Typ:
N
Pinanzahl:
4
Weitere Suchbegriffe: 2741335, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, VSGT50LA65UF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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