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Vishay IGBT / 476 A ± 20V max. Dual, 650 V 1 kW, 7-Pin INT-A-PAK N-Kanal


Menge:  Stück  
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     108EL-2766409
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     VS-GT200TS065S
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt
Dauer-Kollektorstrom max. = 476 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = ± 20V
Verlustleistung max. = 1 kW
Gehäusegröße = INT-A-PAK
Montage-Typ = Tafelmontage
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 7
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
476 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
650 V
Gate-Source Spannung max.:
± 20V
Verlustleistung max.:
1 kW
Gehäusegröße:
INT-A-PAK
Montage-Typ:
Tafelmontage
Channel-Typ:
N
Pinanzahl:
7
Weitere Suchbegriffe: 2766409, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, VSGT200TS065S, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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