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Vishay SIHF085N60EF-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 13 A, 3-Pin TO-220


Menge:  Packung  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     108EL-2799908
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIHF085N60EF-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 13 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Channel-Modus = Enhancement
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
13 A
Drain-Source-Spannung max.:
600 V
Gehäusegröße:
TO-220
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Channel-Modus:
Enhancement
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Weitere Suchbegriffe: mosfet 13a, 2799908, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SIHF085N60EFGE3
Die Konditionen im Überblick1
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