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| Artikel-Nr.:
108EL-3683197 Herst.-Nr.:
RFP12N10L EAN/GTIN:
5059042777710 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 12 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 200 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 60 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -10 V, +10 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm
N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor. Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 12 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | TO-220AB | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 200 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 60 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -10 V, +10 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1mm | Betriebstemperatur min.: | -55 °Cmm |
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| Weitere Suchbegriffe: 3683197, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, RFP12N10L, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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