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| Artikel-Nr.:
108EL-5429967 Herst.-Nr.:
IRFU9310PBF EAN/GTIN:
5059040794641 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 1,8 A
Drain-Source-Spannung max. = 400 V
Gehäusegröße = IPAK (TO-251)
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 7 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 50 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 13 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min. = -55 °C
P-Kanal MOSFET, 100 V bis 400 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 1,8 A | Drain-Source-Spannung max.: | 400 V | Gehäusegröße: | IPAK (TO-251) | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 7 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 50 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 13 nC @ 10 V | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 5429967, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, IRFU9310PBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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