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| Artikel-Nr.:
108EL-6416079 Herst.-Nr.:
NP82N055PUG-E2-AZ EAN/GTIN:
5059041474368 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 82 A
Drain-Source-Spannung max. = 55 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 5 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Verlustleistung max. = 1800 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 106 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min. = -55 °C
N-Kanal-Niederspannungs-MOSFETs bis 140 V, Renesas Electronics Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 82 A | Drain-Source-Spannung max.: | 55 V | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 5 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Verlustleistung max.: | 1800 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 106 nC @ 10 V | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 6416079, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Renesas Electronics, NP82N055PUGE2AZ, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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