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| Artikel-Nr.:
108EL-7082396 Herst.-Nr.:
2N7002-7-F EAN/GTIN:
5059043966601 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 115 mA
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 13,5 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
Verlustleistung max. = 300 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm
N-Kanal-MOSFET, 40 V bis 90 V, Diodes Inc Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 115 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 13,5 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.5V | Verlustleistung max.: | 300 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1mm | Betriebstemperatur min.: | -55 °Cmm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet sot-23, 7082396, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, 2N70027F, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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